4族半導体
WebDec 24, 2024 · 半導体の探索には、古くから周期表（図1）の右側の元素が利用されるのが一般的です。 単体半導体であるシリコンやゲルマニウムは、単体物質であるIV族半導体です。 近年、半導体レーザーに使われるGaAs系や青色LEDを実現したGaN系などのIII-V族半導体や、テルル化カドミウム水銀などのII-VI族半導体など、周期表のIV族元素の左側 …
4族半導体
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WebDec 4, 2024 · 【課題】バイポーラトランジスタの利得を低下させず、かつ従来よりも薄く形成可能なトランジスタ。 【解決手段】ベース（32）と、コレクタ（42）と、III／VI族半導体からなるエミッタ（36）を含むトランジスタを提供する。また、少なくとも1つの金属酸化膜半導体（MOS）トランジスタ（80B ... Web【課題】 グラフェンとナノ構造体との複合構造体及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 複合構造体100は、グラフェン120と、該グラフェン上に形成され、実質的に1次元形状を持つ少なくとも一つのナノ構造体110とを備える。
Webため、横から電流を注入する薄膜レーザ構造とし、世界最低しきい値4.8 a を実現した。 50g までの直接変調を実現するなどの成果を示した。 【超格子の結晶成長技術と太陽電池応用】東京大学 杉山正和教授 Web(57)【要約】 【目的】 タイプ2になるためレ−ザダイオ−ドの活性 層に用いることのできなかった2−6族化合物半導体の 組み合わせを用いて、ダブルヘテロ構造等の十分なキャ リヤ閉じ込めを有するレ−ザダイオ−ドを作製する。 【構成】 活性層となる2−6族化合物半導体層14と クラッド層と ...
WebMay 8, 2024 · 【課題】 不純物が少なく、光デバイス材料や高効率太陽電池材料や熱−電気抵抗材料に好適な半導体デバイスを得る。 【解決手段】 シリコン基板1に形成した極薄酸化膜2上に分子線エピタキシャル法を用いてIV族半導体5（Si、Ge）と金属6を蒸着することで、シリコン系化合物半導体の ... WebIII- V族化合物半導体の結晶構造は閃亜鉛鉱型である 表1元 素の周期律表 ものが多い。 2.2化 合物半導体の主原料 III- V族 化合物半導体の主原料について述べる。 1)ガ リウ …
WebⅣ族系半導体の現在・過去・未来 『応用物理』編集委員会 半導体とは，電気を通しやすい「導体」と電気を通しにくい「絶縁体」の中間の性質をもつ物質 であり，1940 年代後 …
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